MOS场效应管：包含N沟道(电压20V~1000V)、P沟道(电压-12V~-200V)、N+N双沟通(电压12V~100V)、N+P双沟通(电压20V~-200V)、P+P双沟通(电压-20V~-60V) ,封装SMD/DIP多种封装方式，SOT系列，SOP系列、TO系列、QFN/DPN系列